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Si7964DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.030
4000
0.025
3200
C iss
V GS = 10 V
0.020
2400
0.015
1600
0.010
0.005
0.000
800
0
C oss
C rss
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
10
20
30
40
50
6
I D
-
Drain Current (A)
V DS
-
Drain-to-Source Voltage (V)
10
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
Capacitance
V DS = 30 V
I D = 9.6 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 9.6 A
8
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0
0.8
0.6
0
10
20
30
40
50
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g
-
Total Gate Charge (nC)
T J - Junction Temperature ( °C)
40
Gate Charge
0.05
0.04
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.03
I D = 9.6 A
0.02
0.01
1
0.00
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4
6
8
10
V SD
-
Source-to-Drain Voltage (V)
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 73101
S09-0272-Rev. C, 16-Feb-09
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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